3d nand 文章 最新資訊
汽車應(yīng)用3D-IC：利用人工智能驅(qū)動的EDA工具打破障礙
- 汽車行業(yè)正在經(jīng)歷重大變革，因為它采用自動駕駛技術(shù)和超互聯(lián)生態(tài)系統(tǒng)等創(chuàng)新。這一變化的核心是對緊湊型、高性能半導(dǎo)體解決方案的需求不斷增長，這些解決方案能夠應(yīng)對日益復(fù)雜的現(xiàn)代汽車架構(gòu)。一項有前途的發(fā)展是三維集成電路 （3D-IC），這是一種創(chuàng)新的半導(dǎo)體設(shè)計方法，有可能重塑汽車市場。通過垂直堆疊多個芯片，3D-IC 提供卓越的性能、帶寬和能源效率，同時克服車輛系統(tǒng)的關(guān)鍵空間和熱限制。然而，盡管 3D-IC 具有潛力，但其設(shè)計和實施仍面臨重大挑戰(zhàn)。這就是人工智能驅(qū)動的電子設(shè)計自動化 （EDA） 工具發(fā)揮至關(guān)重要作用
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內(nèi)存巨頭，脆弱的鏈接：韓國對日本 HBM 供應(yīng)鏈的依賴
- 根據(jù) ZDNet 的報道，韓國可能在 DRAM 和 NAND 閃存等記憶產(chǎn)品領(lǐng)域領(lǐng)先，但它仍然嚴重依賴日本的關(guān)鍵材料。該報告援引消息人士的話警告說，除非本地化進程更快地推進，否則這種依賴可能會成為韓國在人工智能和 HBM 競賽中的結(jié)構(gòu)性風(fēng)險。報告指出，在 SK 海力士的 HBM 價值鏈中，超細 TSV（硅通孔）堆疊結(jié)構(gòu)依賴于由日本公司主要壟斷的關(guān)鍵材料和設(shè)備。報告強調(diào)，用于 HBM 堆疊的底部填充劑——幾乎完全由日本的 NAMICS 提供。由于替代方案有限，本地化進展緩慢。此外，SK
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實現(xiàn)120層堆疊，下一代3D DRAM將問世
- 高密度 3D DRAM 可能即將到來。
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第二季度NAND收入環(huán)比增長22%
- TrendForce集邦咨詢表示，第二季度NAND收入前五大供應(yīng)商的總收入環(huán)比增長22%，達到146.7億美元。三星第二季度收入環(huán)比增長 23.8% 至 52 億美元，將三星的市場份額小幅提升至 32.9%。海力士第二季度收入環(huán)比增長 52.5%，達到 33.4 億美元，市場份額為 21.1%。鎧俠第二季度營收環(huán)比增長11.4%至21.4億美元，環(huán)比增長11.4%，排名第三。美光收入環(huán)比增長 3.7%，達到 21 億美元，市場份額為 13.3%。SanDisk 的收入環(huán)比增長 12.2% 至 19 億美元
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美國撤銷對三星、SK 海力士的中國芯片制造工具許可證：解碼市場影響
- 三星和 SK 海力士雖然暫時免于美國政府入股的風(fēng)險，但隨著華盛頓撤銷豁免——在 2022 年出口限制后授予——此前允許他們自由進口美國芯片制造設(shè)備——根據(jù) 路透社和 彭博社的數(shù)據(jù)，三星和 SK 海力士在中國遇到了新的障礙 。正如聯(lián)邦文件所示，報告表明撤銷將在 120 天后開始。報道補充說，值得注意的是，美國政府表示將批準(zhǔn)三星和 SK 海力士的許可，以維持其在中國現(xiàn)有晶圓廠的運營，但不會批準(zhǔn)產(chǎn)能擴張或技術(shù)升級。路透社指出，英特爾也上市，盡管它已經(jīng)在今年早些時候通過出售其大連工廠
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三星與SK海力士擬放緩2025年NAND投資計劃
- 據(jù)韓媒ZDNet Korea援引業(yè)界消息，三星電子與SK海力士計劃在2025年下半年放緩對先進NAND Flash的投資步伐。這一決策主要是由于市場需求不確定性較高，且企業(yè)資金更多集中于DRAM和封裝領(lǐng)域，導(dǎo)致對NAND的投資負擔(dān)加重。三星自2025年初開始，在韓國平澤的P1廠和西安NAND廠推進轉(zhuǎn)換投資，主要將第6、7代NAND升級至第8、9代。這種轉(zhuǎn)換投資相較于新建投資成本更低，且能部分利用現(xiàn)有設(shè)備，效率較高。然而，近期三星針對最先進NAND的轉(zhuǎn)換投資速度有所放緩。例如，P1廠的第9代NAND轉(zhuǎn)換投資
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美光推出首款 256Gb 抗輻射閃存獲全空間認證
- 美光??宣布推出業(yè)內(nèi)最高密度的抗輻射 SLC NAND 閃存。新發(fā)布的 256Gb SLC NAND 是美光航空航天級 NAND、NOR 和 DRAM 內(nèi)存解決方案組合中的首款產(chǎn)品，現(xiàn)已實現(xiàn)商業(yè)化。該產(chǎn)品專為航空航天及其他極端嚴苛環(huán)境使用而設(shè)計。該產(chǎn)品已根據(jù) NASA 的 PEM-INST-001 標(biāo)準(zhǔn)進行了嚴格的測試，包括極端溫度循環(huán)、缺陷篩選和動態(tài)老化。它還基于美國軍用標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 和 JEDEC JESD57 通過了輻射耐受性驗證，確保其在高輻射環(huán)境中的可靠性。這
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鎧俠第九代BiCS FLASH? 512Gb TLC存儲器開始送樣
- 全球存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術(shù)的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產(chǎn)品計劃于?2025?年投入量產(chǎn)，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產(chǎn)品也將集成到鎧俠的企業(yè)級固態(tài)硬盤中，特別是需要提升?AI?系統(tǒng)?GPU?性能的應(yīng)用。為應(yīng)對尖端應(yīng)用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產(chǎn)品，鎧俠將繼續(xù)推行“雙軌并行
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中國長江存儲計劃通過使用國產(chǎn)工具建立生產(chǎn)線來擺脫美國制裁
- (圖片來源：YMTC)長江存儲技術(shù)有限公司（YMTC），中國領(lǐng)先的 NAND 存儲器生產(chǎn)商，自 2022 年底以來一直被美國商務(wù)部列入實體清單，這基本上禁止了其獲取先進制造設(shè)備。盡管面臨制裁和限制，YMTC 計劃今年擴大其生產(chǎn)能力，目標(biāo)是在 2026 年底前占據(jù) NAND 存儲器生產(chǎn)市場的 15%，據(jù)《Digitimes》報道。該公司還計劃建設(shè)一條僅使用中國制造設(shè)備的試驗生產(chǎn)線。YMTC 將擴大產(chǎn)能至每月 15 萬片晶圓啟動據(jù) DigiTimes 報道，預(yù)計到 2024 年底，YMTC 的月產(chǎn)能將達到每月
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中國CXMT和YMTC推動DRAM和NAND生產(chǎn)
- 中國存儲半導(dǎo)體公司長鑫存儲科技 （CXMT） 和長江存儲科技 （YMTC） 正在加強其在全球存儲半導(dǎo)體市場的影響力，在大約一年后將其產(chǎn)能幾乎翻了一番。自去年以來，中國內(nèi)存開始在三星電子和 SK 海力士主導(dǎo)的通用 DRAM 市場中嶄露頭角，從傳統(tǒng) DRAM 開始，在國內(nèi)市場需求和政府補貼的推動下，中國內(nèi)存正在提高其競爭力。此外，它還對高帶寬內(nèi)存 （HBM） 和 300 層 3D NAND 閃存等先進產(chǎn)品線提出了挑戰(zhàn)，縮小了與三星電子和 SK 海力士的差距。根據(jù) ChosunBiz 21 日獲得的 Omdia
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NAND Flash合約價 Q3看漲10%
- 根據(jù)TrendForce預(yù)估，第三季NAND Flash價格走勢，預(yù)估平均合約價將季增5%至10%，但eMMC、UFS產(chǎn)品，因智慧手機下半年展望不明，漲幅較低。client SSD市場因OEM/ODM上半年去化庫存情況優(yōu)于預(yù)期，增強第三季回補動能。 而Windows 10停止支持、新一代CPU推出引發(fā)換機潮，以及DeepSeek一體機熱潮，皆帶動client SSD需求。此外，部分原廠積極推動大容量QLC產(chǎn)品，帶動出貨規(guī)模。 綜合以上因素，預(yù)估第三季client SSD將季增3%至8%。隨NVIDIA B
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在EDA禁令的33天里，四大EDA巨頭更關(guān)注3D IC和數(shù)字孿生
- 從5月29日美國政府頒布對華EDA禁令到7月2日宣布解除，33天時間里中美之間的博弈從未停止，但對于EDA公司來說，左右不了的是政治禁令，真正贏得客戶的還是要靠自身產(chǎn)品的實力。作為芯片設(shè)計最前沿的工具，EDA廠商需要深刻理解并精準(zhǔn)把握未來芯片設(shè)計的關(guān)鍵。?人工智能正在滲透到整個半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中，迫使 AI 芯片、用于創(chuàng)建它們的設(shè)計工具以及用于確保它們可靠工作的方法發(fā)生根本性的變化。這是一場全球性的競賽，將在未來十年內(nèi)重新定義幾乎每個領(lǐng)域。在過去幾個月美國四家EDA公司的高管聚焦了三大趨勢，這些趨
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美光突破PC性能邊界，推出自適應(yīng)寫入技術(shù)與G9 QLC NAND
- SSD?對于提升?PC?及客戶端設(shè)備的用戶體驗和系統(tǒng)性能至關(guān)重要。Micron Technology Inc.近日宣布，推出美光?2600 NVMe? SSD，專為原始設(shè)備制造商（OEM）設(shè)計的高性價比客戶端存儲解決方案。2600 SSD?搭載業(yè)界首款應(yīng)用于SSD的第九代?QLC NAND（G9 QLC NAND），并采用美光創(chuàng)新的自適應(yīng)寫入技術(shù)（Adaptive Write Technology?，AWT），在兼顧?QLC?
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DDR4漲勢Q4觸頂、NAND持平
- TrendForce最新釋出的存儲器市場觀察指出，2025年第二季以來快速上漲的DDR4價格漲勢，恐將在第四季觸頂回落; 而NAND市場雖受惠AI需求帶動，但因供需未形成緊張態(tài)勢，價格預(yù)期多呈持平。TrendForce表示，DDR4近期的強勁漲勢，主要來自供應(yīng)商削減產(chǎn)出與市場搶貨潮，但這波動能可能難以延續(xù)至年底。根據(jù)通路查核，隨著價格進入高檔區(qū)間，供應(yīng)商正逐步釋出庫存，預(yù)期第四季整體供應(yīng)將逐步改善。DDR5方面，目前價格趨勢穩(wěn)定，2025年第二、三季價格季增幅度預(yù)估介于3%至8%之間。 不過，部分二線OE
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